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isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 160V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 125W(Max)@TC=25℃ • Complement to Type 2SB656 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2026-5-25 10:59:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI/日立
23+
TO-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
24+
TO-3
10000
全新

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