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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO = 100V(Min.) ·Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.5V(Max.)@ IC= 5A APPLICATIONS ·Designed for 40~60W audio amplifier power output applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 18:10:01
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