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iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) •CollectorPowerDissipation-:PC=40W(Max)@TC=25℃ APPLICATIONS •DesignedforB/WTVhorizontaldeflectionoutputapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) •CollectorPowerDissipation-:PC=40W(Max)@TC=25℃ APPLICATIONS •DesignedforB/WTVhorizontaldeflectionoutputapplications.

KISEMICONDUCTORKwang Myoung I.S. CO.,LTD

明阳国际贸易广州市明阳国际贸易有限公司

KISEMICONDUCTOR
更新时间:2024-6-3 18:07:01
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