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2SD265晶体管资料

  • 2SD265别名：2SD265三极管、2SD265晶体管、2SD265晶体三极管

  • 2SD265生产厂家：日本三肯公司

  • 2SD265制作材料：Si-NPN

  • 2SD265性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2SD265封装形式：直插封装

  • 2SD265极限工作电压：800V

  • 2SD265最大电流允许值：6A

  • 2SD265最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SD265引脚数：2

  • 2SD265最大耗散功率：100W

  • 2SD265放大倍数：β>15

  • 2SD265图片代号：E-44

  • 2SD265vtest：800

  • 2SD265htest：999900

  • 2SD265atest：6

  • 2SD265wtest：100

  • 2SD265代换 2SD265用什么型号代替：BU212,BU326,BU326A,BU426A,BU526,BUX47,BUY76,BUY84,2N5308,3DD266C,

2SD265价格

参考价格：￥0.7791

型号：2SD2652T106 品牌：Rohm 备注：这里有2SD265多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SD265批发/采购报价，2SD265行情走势销售排行榜，2SD265报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2650

Color TV Horizontal Deflection Output Applications

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Features • High speed. • High breakdown voltage(VCBO=1500V). • High reliability(Adoption of HVP process). • Adoption of MBIT process.

SANYO

三洋

2SD2652

General purpose amplification (12V, 1.5A)

Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) ≤ 200mV At IC = 500mA / IB = 25mA Application Low frequency amplifier

ROHM

罗姆

2SD2653

Low frequency amplifier

Features 1) Collector current is large. 2) VCE(sat)≦ 180mV at IC= 1A / IB= 50mA 3) Complementary PNP Types : 2SB1690 Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER

ROHM

罗姆

2SD2653K

Low frequency amplifier

Features 1) A collector current is large. 2) VCE(sat) ≤ 180mV At IC = 1A / IB = 50mA Application Low frequency amplifier Driver

ROHM

罗姆

2SD2654

NPN 150mA 50V Muting Transistors

Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Lowsaturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA)

ROHM

罗姆

2SD2654

General Purpose Transistor (50V, 0.15A)

Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Lowsaturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA)

ROHM

罗姆

2SD2654E3

General purpose Transistor (50V, 150mA)

Features 1)High DC current gain. 2)High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3)Low saturation voltage. 　 (Max.VCE(sat)=300mV at IC/IB=50/5mA) Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER, DRIVER

ROHM

罗姆

2SD2655

Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier

Features • Small size package: MPAK (SC–59A) • Large Maximum current: IC = 1 A • Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) • High power dissipation: PC = 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)) • Complementary pair with 2S

RENESAS

瑞萨

2SD2655WM-TL-E

Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier

Features • Small size package: MPAK (SC–59A) • Large Maximum current: IC = 1 A • Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) • High power dissipation: PC = 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)) • Complementary pair with 2S

RENESAS

瑞萨

2SD2656

General purpose amplification (30V, 1A)

Features 1) A collector current is large 2) Collector-Emitter saturation voltage is low. VCE(sat)≦350mV at IC=500mA /IB=25mA Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER, DRIVER

ROHM

罗姆

2SD2656T106

NPN 1A 30V Low Frequency Amplifier Transistors

Features 1) A collector current is large 2) Collector-Emitter saturation voltage is low. VCE(sat)≦350mV at IC=500mA /IB=25mA Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER, DRIVER

ROHM

罗姆

2SD2657

Low frequency amplifier

Features 1) Collector current is large. 2) VCE(sat)≦ 350mV at IC= 1A / IB= 50mA 3) Complementary PNP Types : 2SB1695 Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER

ROHM

罗姆

2SD2657K

Low frequency amplifier

Features 1) A collector current is large. 2) VCE(sat) ≤ 350mV At IC = 1A / IB = 50mA Application Low frequency amplifier Driver

ROHM

罗姆

2SD2657KT146

Low frequency amplifier

Features 1) A collector current is large. 2) VCE(sat) ≤ 350mV At IC = 1A / IB = 50mA Application Low frequency amplifier Driver

ROHM

罗姆

2SD2651

Silicon NPN Epitaxial High Voltage Amplifier

文件：41.63 Kbytes Page：6 Pages

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD2651

Silicon NPN Epitaxial High Voltage Amplifier

文件：166.92 Kbytes Page：6 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD2651

Silicon NPN Epitaxial High Voltage Amplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD2651

Transistor-Bipolar Small Signal Transistors

RENESAS

瑞萨

2SD2651TZ-E

Silicon NPN Epitaxial High Voltage Amplifier

文件：166.92 Kbytes Page：6 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD2652

Low VCE(sat) Transistor

ROHM

罗姆

2SD2653

Low frequency amplifier

文件：96.73 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

2SD2653_1

Low frequency amplifier

文件：96.73 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

2SD2653KT146

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 12V 2A SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHM

罗姆

2SD2653TL

封装/外壳：SC-96 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 12V 2A TSMT 3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHM

罗姆

2SD2655

Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier

文件：107.75 Kbytes Page：7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD2655

Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier

文件：75.25 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD2655

TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)

文件：70 Kbytes Page：2 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD2655_11

Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier

文件：107.75 Kbytes Page：7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD2655_15

Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier

文件：152.66 Kbytes Page：7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD2655WM-TL-E

Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier

文件：107.75 Kbytes Page：7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD2655WM-TL-H

Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier

文件：107.75 Kbytes Page：7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD2656

NPN 1A 30V Low Frequency Amplifier Transistors

文件：347.77 Kbytes Page：7 Pages

ROHM

罗姆

2SD2656_13

NPN 1A 30V Low Frequency Amplifier Transistors

文件：347.77 Kbytes Page：7 Pages

ROHM

罗姆

2SD2656FRA

NPN 1A 30V Low Frequency Amplifier Transistors

文件：1.36216 Mbytes Page：9 Pages

ROHM

罗姆

2SD2657

Low frequency amplifier

文件：74.38 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

2SD2657_1

Low frequency amplifier

文件：74.38 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

2SD2658LS

2SD2685LS

文件：43.88 Kbytes Page：3 Pages

SANYO

三洋

2SD2659

For Power Switching

文件：63.4 Kbytes Page：3 Pages

Panasonic

松下

2SD265产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD265

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 12V 1.5A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2SD265供应商更多...

更新时间：2025-10-29 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市芯皇电子有限公司
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ROHM/罗姆
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