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Medium Power Transistor (25V, 1.2A)

Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VEBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Max. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=500mA/10mA)

ROHM

罗姆

MEDIUM POWER TRANSISTOR(25V, 1.2V), GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(50V, 0.15A)

MEDIUM POWER TRANSISTOR(25V, 1.2V) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(50V, 0.15A)

ROHM

罗姆

Medium Power Transistor

■ Features ● High DC current gain. ● High emitter-base voltage. ● Low saturation voltage.

KEXIN

科信电子

Medium Power Transistor (25V, 1.2A)

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ROHM

罗姆

Medium Power Transistor (25V, 1.2A)

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ROHM

罗姆

更新时间:2025-12-25 15:46:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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