2SD231晶体管资料

  • 2SD231别名:2SD231三极管、2SD231晶体管、2SD231晶体三极管

  • 2SD231生产厂家:日本富士通公司

  • 2SD231制作材料:Si-NPN

  • 2SD231性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SD231封装形式:直插封装

  • 2SD231极限工作电压:50V

  • 2SD231最大电流允许值:30A

  • 2SD231最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SD231引脚数:2

  • 2SD231最大耗散功率:125W

  • 2SD231放大倍数

  • 2SD231图片代号:E-44

  • 2SD231vtest:50

  • 2SD231htest:999900

  • 2SD231atest:30

  • 2SD231wtest:125

  • 2SD231代换 2SD231用什么型号代替:BDX41,BDY57,2N3771,2N6249,2N6259,2N6322,2SD630,3DK209A,

2SD231价格

参考价格:¥1.5788

型号:2SD2318TLU 品牌:Rohm 备注:这里有2SD231多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SD231批发/采购报价,2SD231行情走势销售排行榜,2SD231报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Power Bipolar Transistors

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

High-current gain Power Transistor

Features ● High DC current gain. ● Low saturation voltage.

KEXIN

科信电子

High-current gain Power Transistor (-60V, -3A)

2SB1639 ( -60V, -3A) 2SD2318, 2SD1944 (60V, 3A) High DC current gain.

ROHM

罗姆

High-current gain Power Transistor(60V, 3A)

Features 1) High DC current gain. 2) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat) =0.5V at IC / IB=2A / 0.5A) 3) Complements the 2SB1639.

ROHM

罗姆

High-current gain Power Transistor (60V, 3A)

Features 1) High DC current gain. 2) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat) =0.5V at IC / IB=2A / 0.5A)

ROHM

罗姆

High-current gain Power Transistor (60V, 3A)

Features 1) High DC current gain. 2) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat) =0.5V at IC / IB=2A / 0.5A)

ROHM

罗姆

Transistors > Medium Power Bipolar Transistors(0.5W-1.0W)

ROHM

罗姆

High-current gain Power Transistor (60V, 3A)

ROHM

罗姆

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:带盒(TB) 描述:TRANS NPN 60V 3A SOT-428 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 60V 3A CPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

2SD231产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD231

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK U

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-25 16:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
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