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2SD2318晶体管资料

  • 2SD2318(F5)别名：2SD2318(F5)三极管、2SD2318(F5)晶体管、2SD2318(F5)晶体三极管

  • 2SD2318(F5)生产厂家：

  • 2SD2318(F5)制作材料：Si-NPN

  • 2SD2318(F5)性质：HI_BETA

  • 2SD2318(F5)封装形式：直插封装

  • 2SD2318(F5)极限工作电压：80V

  • 2SD2318(F5)最大电流允许值：3A

  • 2SD2318(F5)最大工作频率：50MHZ

  • 2SD2318(F5)引脚数：3

  • 2SD2318(F5)最大耗散功率：15W

  • 2SD2318(F5)放大倍数：β>390

  • 2SD2318(F5)图片代号：A-80

  • 2SD2318(F5)vtest：80

  • 2SD2318(F5)htest：50000000

  • 2SD2318(F5)atest：3

  • 2SD2318(F5)wtest：15

  • 2SD2318(F5)代换 2SD2318(F5)用什么型号代替：2SD1754,

2SD2318价格

参考价格：￥1.5788

型号：2SD2318TLU 品牌：Rohm 备注：这里有2SD2318多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SD2318批发/采购报价，2SD2318行情走势销售排行榜，2SD2318报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2318

High-current gain Power Transistor (-60V, -3A)

2SB1639 ( -60V, -3A) 2SD2318, 2SD1944 (60V, 3A) High DC current gain.

ROHM

罗姆

2SD2318

High-current gain Power Transistor(60V, 3A)

Features 1) High DC current gain. 2) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat) =0.5V at IC / IB=2A / 0.5A) 3) Complements the 2SB1639.

ROHM

罗姆

2SD2318

High-current gain Power Transistor

Features ● High DC current gain. ● Low saturation voltage.

KEXIN

科信电子

2SD2318

High-current gain Power Transistor (60V, 3A)

Features 1) High DC current gain. 2) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat) =0.5V at IC / IB=2A / 0.5A)

ROHM

罗姆

2SD2318

Transistors > Medium Power Bipolar Transistors(0.5W-1.0W)

ROHM

罗姆

2SD2318_10

High-current gain Power Transistor (60V, 3A)

Features 1) High DC current gain. 2) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat) =0.5V at IC / IB=2A / 0.5A)

ROHM

罗姆

2SD2318TL

High-current gain Power Transistor (60V, 3A)

ROHM

罗姆

2SD2318TLU

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 60V 3A SOT-428 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHM

罗姆

2SD2318TLV

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 60V 3A CPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHM

罗姆

2SD2318产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2318

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK U

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2SD2318供应商更多...

更新时间：2025-11-3 20:00:00
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