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2SD2230晶体管资料

  • 2SD2230别名:2SD2230三极管、2SD2230晶体管、2SD2230晶体三极管

  • 2SD2230生产厂家:日本日电公司

  • 2SD2230制作材料:Si-NPN

  • 2SD2230性质:表面帖装型 (SMD)

  • 2SD2230封装形式:贴片封装

  • 2SD2230极限工作电压:16V

  • 2SD2230最大电流允许值:0.5A

  • 2SD2230最大工作频率:>50MHZ

  • 2SD2230引脚数:3

  • 2SD2230最大耗散功率:0.25W

  • 2SD2230放大倍数

  • 2SD2230图片代号:H-15

  • 2SD2230vtest:16

  • 2SD2230htest:50000100

  • 2SD2230atest:0.5

  • 2SD2230wtest:0.25

  • 2SD2230代换 2SD2230用什么型号代替:2SC2859,2SC3265,2SC3440,2SC4519,2SC4577,2SD655,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2230

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS

The 2SD2230 is an element realizing ultra low VCE(sat). This transistor is ideal for muting such as stereo recorders, VCRs, and TVs. FEATURES • Low VCE(sat): VCE(sat)1= 33 mV TYP. @IC= 100 mA, IB= 10 mA VCE(sat)2= 150 mV TYP. @IC= 500 mA, IB= 20 mA • High hFEand high current

NEC

瑞萨

2SD2230

NPN Silicon Epitaxia

Features ● High hFE and high current. ● Low VCE(sat).

KEXIN

科信电子

2SD2230

SILICON POWER TRANSISTOR

The 2SD2230 is an element realizing ultra low VCE(sat). This transistor is ideal for muting such as stereo recorders, VCRs, and TVs. FEATURES • Low VCE(sat): VCE(sat)1 = 33 mV TYP. @IC = 100 mA, IB = 10 mA VCE(sat)2 = 150 mV TYP. @IC = 500 mA, IB = 20 mA • High hFE and high current

RENESAS

瑞萨

2SD2230

Transistor

RENESAS

瑞萨

2SD2230产品属性

  • 类型

    描述

  • NPN/PNP:

    NPN

  • VCEO (V):

    16

  • IC (A) @25 °C:

    0.5

  • hFE最小值:

    200

  • Pc (W):

    0.2

  • 封装类型:

    3pinMM

更新时间:2026-5-14 18:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PANASONIC/松下
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