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2SD2166晶体管资料

  • 2SD2166别名:2SD2166三极管、2SD2166晶体管、2SD2166晶体三极管

  • 2SD2166生产厂家:TOY

  • 2SD2166制作材料:Si-NPN

  • 2SD2166性质:绝缘 (Iso)

  • 2SD2166封装形式:直插封装

  • 2SD2166极限工作电压:50V

  • 2SD2166最大电流允许值:5A

  • 2SD2166最大工作频率:150MHZ

  • 2SD2166引脚数:3

  • 2SD2166最大耗散功率

  • 2SD2166放大倍数

  • 2SD2166图片代号:B-26

  • 2SD2166vtest:50

  • 2SD2166htest:150000000

  • 2SD2166atest:5

  • 2SD2166wtest:0

  • 2SD2166代换 2SD2166用什么型号代替:2SC3420,2SD741,2SD1685,2SD2180,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2166

Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHM

罗姆

2SD2166

Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package.

文件:787.61 Kbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

2SD2166

双极晶体管

FOSHAN

蓝箭电子

Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHM

罗姆

Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHM

罗姆

更新时间:2026-7-23 11:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
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专注配单,只做原装进口现货
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50000
全新原装正品现货,支持订货
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TO-126F
15000
本公司 只做全新原装正品
PAN
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TO-126
19850
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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TO-126
20000
公司只有原装 品质保证

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