2SD2123晶体管资料
2SD2123L,S别名：2SD2123L,S三极管、2SD2123L,S晶体管、2SD2123L,S晶体三极管
2SD2123L,S生产厂家：日本日立公司
2SD2123L,S制作材料：Si-NPN
2SD2123L,S性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
2SD2123L,S封装形式：直插封装
2SD2123L,S极限工作电压：180V
2SD2123L,S最大电流允许值：1.5A
2SD2123L,S最大工作频率：180MHZ
2SD2123L,S引脚数：3
2SD2123L,S最大耗散功率：18W
2SD2123L,S放大倍数：
2SD2123L,S图片代号：A-80
2SD2123L,Svtest：180
2SD2123L,Shtest：180000000
- 2SD2123L,Satest：1.5
2SD2123L,Swtest：18
2SD2123L,S代换 2SD2123L,S用什么型号代替：2SC2983,2SC4027,2SC4072,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SD2123 | Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 |   | |
2SD2123 | Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) | RENESAS 瑞萨 | | |
2SD2123 | Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 160V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter | ISC 无锡固电 | | |
2SD2123 | Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 160V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter | ISC 无锡固电 | | |
Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 160V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter | ISC 无锡固电 | | ||
Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 160V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter | ISC 无锡固电 | | ||
Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S) | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
Transistor-Bipolar Power Transistors | RENESAS 瑞萨 | | ||
Transistor-Bipolar Power Transistors | RENESAS 瑞萨 | | ||
Transistors>Amplifiers/Bipolar | RENESAS 瑞萨 | |
2SD2123产品属性
- 类型
描述
- NPN/PNP：
NPN
- VCEO (V)：
160
- hFE min.：
60
- hFE max.：
200
- Pc (W)：
18
- Production Status：
EOL
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
22+ |
TO252 |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
|||
HITACHI |
24+ |
TO-252 |
6300 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
RENESAS |
26+ |
TO252 |
360000 |
进口原装现货 |
|||
RENESAS |
24+ |
TO252 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
|||
HITACHI |
01+ |
SOT-252 |
1894 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
25+23+ |
TO252 |
45546 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
HITACHI |
24+ |
TO-252 |
36800 |
||||
HITACHI |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
|||
RENESAS |
25+ |
TO252 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
RENESAS |
25+ |
TO252 |
20000 |
原装 |
2SD2123规格书下载地址
2SD2123参数引脚图相关
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