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2SD2122晶体管资料

  • 2SD2122L,S别名：2SD2122L,S三极管、2SD2122L,S晶体管、2SD2122L,S晶体三极管

  • 2SD2122L,S生产厂家：日本日立公司

  • 2SD2122L,S制作材料：Si-NPN

  • 2SD2122L,S性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 2SD2122L,S封装形式：直插封装

  • 2SD2122L,S极限工作电压：180V

  • 2SD2122L,S最大电流允许值：1.5A

  • 2SD2122L,S最大工作频率：180MHZ

  • 2SD2122L,S引脚数：3

  • 2SD2122L,S最大耗散功率：18W

  • 2SD2122L,S放大倍数：

  • 2SD2122L,S图片代号：A-80

  • 2SD2122L,Svtest：180

  • 2SD2122L,Shtest：180000000

  • 2SD2122L,Satest：1.5

  • 2SD2122L,Swtest：18

  • 2SD2122L,S代换 2SD2122L,S用什么型号代替：2SC2983,2SC4027,2SC4072,2SC1080,2SC1081,2SC1082,2SD1033,2SD1557,2SD1918,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2122

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S)

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD2122

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S)

RENESAS

瑞萨

2SD2122

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SD2122

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SD2122

Silicon NPN Triple Diffused

Application\nLow frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S)

RENESAS

瑞萨

2SD2122-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SD2122-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SD2122L

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S)

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD2122L

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S)

RENESAS

瑞萨

2SD2122S

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S)

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD2122S

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1409(L)/(S)

RENESAS

瑞萨

2SD2122S

Silicon NPN Epitaxial

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2SD2122BL

Transistor-Bipolar Power Transistors

RENESAS

瑞萨

2SD2122BS

Transistor-Bipolar Power Transistors

RENESAS

瑞萨

2SD2122产品属性

  • 类型

    描述

  • NPN/PNP：

    NPN

  • VCEO (V)：

    120

  • hFE min.：

    60

  • hFE max.：

    200

  • Pc (W)：

    18

  • Production Status：

    EOL

2SD2122供应商更多...

更新时间：2026-5-20 17:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2SD2122
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