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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SD2118TLQ | Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor | ROHM 罗姆 |   | |
2SD2118TLQ | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 20V 5A CPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ROHM 罗姆 | | |
Low VCE(sat) Transistor Features Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor. | KEXIN 科信电子 | | ||
NPN Silicon General Purpose Transistor FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.25V(Typ.) (IC/IB= 4A / 0.1A) Excellent DC Current Gain Characteristics | SECOS 喜可士 | | ||
Plastic-Encapsulated Transistors 文件：106.88 Kbytes Page：2 Pages | TEL 东电电子 | | ||
Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 文件：109.28 Kbytes Page：5 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 文件：185.03 Kbytes Page：4 Pages | ROHM 罗姆 | |
2SD2118TLQ产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SD2118TLQ
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN 20V 5A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
1881 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ROHM/罗姆 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
ROHM |
25+23+ |
TO252 |
74186 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
ROHM |
24+ |
TO-252 |
6700 |
新进库存/原装 |
|||
ROHM |
19+ |
SOT-252 |
22625 |
||||
ROHM/罗姆 |
2447 |
SOT-252 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ROHM/罗姆 |
23+ |
SOT252 |
7000 |
||||
ROHM |
1922+ |
SOT-252 |
35689 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
ROHM |
12+ |
SOT252 |
1881 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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