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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

丝印代码:D2118;Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHM

罗姆

NPN Silicon General Purpose Transistor

FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.25V(Typ.) (IC/IB= 4A / 0.1A) Excellent DC Current Gain Characteristics

SECOS

喜可士

Plastic-Encapsulated Transistors

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TEL

丝印代码:D2118;Low VCE(sat) transistor (strobe flash)

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ROHM

罗姆

丝印代码:D2118;Low VCE(sat) transistor (strobe flash)

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ROHM

罗姆

2SD2118Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 功能描述:

    TRANSISTOR

更新时间:2026-8-4 20:43:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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