型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NPN Silicon General Purpose Transistor

FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.25V(Typ.) (IC/IB= 4A / 0.1A) Excellent DC Current Gain Characteristics

SECOS

喜可士

Low VCE(sat) Transistor

Features Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor.

KEXIN

科信电子

Low VCE(sat) transistor (strobe flash)

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ROHM

罗姆

Low VCE(sat) transistor (strobe flash)

文件:109.28 Kbytes Page:5 Pages

ROHM

罗姆

Plastic-Encapsulated Transistors

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TEL

2SD2118Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2118Q

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR

更新时间:2025-11-23 16:04:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
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SOT-252
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长电
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国产

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