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Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHM

罗姆

Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHM

罗姆

更新时间:2026-1-1 8:58:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
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原装现货,当天可交货,原型号开票

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