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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 140V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Wide Area of Safe Operation ·Complement to Type 2SB1372 APPLICATIONS ·Designed for high power amplifications.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 19:10:01
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