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MediumPowerTransistor(50V,0.5A) Features 1)Highcurrent.(IC=0.5A) 2)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=0.1VatIC/IB=150mA/15mA. | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 |  |   | |
MediumPowerTransistor Features ◾Highcurrent.(IC=5A) ◾Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=0.1VatIC/IB=150mA/15mA. | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 |  | | |
NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES *Highcurrent.(IC=5A) *Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=0.1VatIC/IB=150mA/15mA | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 |  | | |
MediumPowerTransistor(50V,0.5A) 文件：67.24 Kbytes Page：3 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | | | |
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