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iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=4A •HighDCCurrentGain:hFE=2000(Min)@IC=4A APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierandlowspeedswitchingindustrialuse.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-14 12:43:01
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