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Medium Power Transistor (32V, 2A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.5V (Typ.)(IC/IB= 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHM

罗姆

Medium Power Transistor (32V, 2A)

FTR • FTL Low profile flat-package for limited spece applications. Tape type can be used on automated line. Bulk type is also available.

ROHM

罗姆

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES ● Low VCE(s

HTSEMI

金誉半导体

Medium Power Transistor

Features ● Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (typical) (IC = 2A, IB = 0.2A).

KEXIN

科信电子

Medium power transistor (32V, 2A)

文件:176.4 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

更新时间:2025-12-25 8:03:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM(罗姆)
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