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MediumPowerTransistor(32V,1A)

MediumPowerTransistor(32V,1A) Features 1)LowVCE(sat)=0.15V(Typ.) (lC/lB=500mA/50mA) 2)Compliments2SB1132/2SB1237

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1664isanepitaxialplanartypeNPNsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT):VCE(SAT)=0.15V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) *Complementthe2SB1132.

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

MediumPowerTransistor

Features LowVCE(sat) Complimentsto2SB1132

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

Features Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25oC) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55C~+150COO

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

MediumPowerTransistor(32V,1A)

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ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
更新时间:2024-6-16 23:15:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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