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iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·HighCollector-BaseBreakdownVoltage-:V(BR)CBO=1500V(Min.) ·HighSwitchingSpeed ·WideAreaofSafeOperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-21 18:50:01
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