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2SD1620晶体管资料

  • 2SD1620别名：2SD1620三极管、2SD1620晶体管、2SD1620晶体三极管

  • 2SD1620生产厂家：日本三洋公司

  • 2SD1620制作材料：Si-NPN

  • 2SD1620性质：表面帖装型 （SMD）_低频或音频放大 （LF）_LO.SAT

  • 2SD1620封装形式：特殊封装

  • 2SD1620极限工作电压：30V

  • 2SD1620最大电流允许值：3A

  • 2SD1620最大工作频率：200MHZ

  • 2SD1620引脚数：3

  • 2SD1620最大耗散功率：

  • 2SD1620放大倍数：

  • 2SD1620图片代号：H-100

  • 2SD1620vtest：30

  • 2SD1620htest：200000000

  • 2SD1620atest：3

  • 2SD1620wtest：0

  • 2SD1620代换 2SD1620用什么型号代替：2SC2982,2SD1119,2SD1624,2SD1963,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SD1620

1.5V,3VStrobeApplications

1.5V,3VStrobeApplications Features •LesspowerdissipationbecauseoflowVCE(sat), permittingmoreflashesoflighttobeemitted. •Largecurrentcapacityandhighlyresistanttobreakdown. •ExcellentlinearityofhFEintheregionfromlow currenttohighcurrent. •Ultrasmall

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SD1620

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor

Features ●LesspowerdissipationbecauseoflowVCE(sat), permittingmoreflashesoflighttobeemitted. ●Largecurrentcapacityandhighlyresistanttobreakdown. ●ExcellentlinearityofhFEintheregionfromlow currenttohighcurrent. ●Ultrasmallsizesupportshigh-density,u

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SD1620

BipolarTransistor

Features •LesspowerdissipationbecauseoflowVCE(sat), permittingmoreflashesoflighttobeemitted •Largecurrentcapacityandhighlyresistanttobreakdown •ExcellentlinearityofhFEintheregionfrom lowcurrenttohighcurrent •Ultrasmallsizesupportshigh-density,

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SD1620

1.5V,3VStrobeApplications

文件：91.4 Kbytes Page：4 Pages

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SD1620_10

1.5V,3VStrobeApplications

文件：91.4 Kbytes Page：4 Pages

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SD1620-TD-E

封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 10V 3A PCP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

2SD1620产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1620

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BIP NPN 3A 10V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2SD1620供应商更多...

更新时间：2024-4-27 11:36:00
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