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2SD1620中文资料

厂家型号

2SD1620

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50.63Kbytes

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1

功能描述

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

两极晶体管 - BJT BIP NPN 3A 10V

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

生产厂商

KEXIN

2SD1620数据手册规格书PDF详情

Features

● Less power dissipation because of low VCE(sat),

permitting more flashes of light to be emitted.

● Large current capacity and highly resistant to breakdown.

● Excellent linearity of hFE in the region from low

current to high current.

● Ultrasmall size supports high-density, ultrasmallsized

hybrid IC designs.

2SD1620产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1620

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BIP NPN 3A 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-1-29 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SANYO
14+无铅
SOT-89
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2SD1620 晶体管资料

  • 2SD1620别名:2SD1620三极管、2SD1620晶体管、2SD1620晶体三极管

  • 2SD1620生产厂家:日本三洋公司

  • 2SD1620制作材料:Si-NPN

  • 2SD1620性质:表面帖装型 (SMD)_低频或音频放大 (LF)_LO.SAT

  • 2SD1620封装形式:特殊封装

  • 2SD1620极限工作电压:30V

  • 2SD1620最大电流允许值:3A

  • 2SD1620最大工作频率:200MHZ

  • 2SD1620引脚数:3

  • 2SD1620最大耗散功率

  • 2SD1620放大倍数

  • 2SD1620图片代号:H-100

  • 2SD1620vtest:30

  • 2SD1620htest:200000000

  • 2SD1620atest:3

  • 2SD1620wtest:0

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