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2SD1616A晶体管资料

2SD1616A别名：2SD1616A三极管、2SD1616A晶体管、2SD1616A晶体三极管
2SD1616A生产厂家：日本日电公司
2SD1616A制作材料：Si-NPN
2SD1616A性质：LO.SAT
2SD1616A封装形式：贴片封装
2SD1616A极限工作电压：120V
2SD1616A最大电流允许值：1A
2SD1616A最大工作频率：160MHZ
2SD1616A引脚数：3
2SD1616A最大耗散功率：0.75W
2SD1616A放大倍数：
2SD1616A图片代号：A-20
2SD1616Avtest：120
2SD1616Ahtest：160000000
2SD1616Aatest：1
2SD1616Awtest：0.75

2SD1616A代换 2SD1616A用什么型号代替：2SC3243,2SC4488,2SC4489,2SD592,2SD863,2SD1812,2SD1857,3DD1293M,3DK104B,

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
2SD1616A	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION * Audio frequency power amplifier * Medium speed switching	UTC 友顺	UTC
2SD1616A	NPN SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION The 2SD1616/2SD1616A are designed for use in driver and output stages of AF amplifier, general purpose application.	NEC 瑞萨	NEC
2SD1616A	NPN Transistors NPN Transistors P/b Lead(Pb)-Free	WEITRON	WEITRON
2SD1616A	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation	DAYA 大亚电器集团	DAYA
2SD1616A	NPN Plastic-Encapsulated Transistor FEATURES • Power dissipation	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1616A	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for audio frequency power amplifier and medium-speed switching applications.	DCCOM	DCCOM
2SD1616A	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION 2SD1616A is NPN silicon planar transistor designed for use in driver and output stages of AF amplifier, general purpose application.	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2SD1616A	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR（NPN） FEATURES ● Low collector saturation voltage ● High break down voltage ● High total power dissipation	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD1616A	TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation PCM: 0.75 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 120 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SD1616A	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation	KOOCHIN	KOOCHIN
2SD1616A	SILICON TRANSISTORS NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING FEATURES • Low VCE(sat): VCE(sat) = 0.15 V TYP. (IC = 1.0 A, IB = 50 mA) • Large PT in small dimension with versatility PT = 0.75 W, VCEO = 50/60 V, IC(DC) = 1.0 A • Complementary transistor with t	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1616A	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low collector saturation voltage High break down voltage High total power dissipation	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD1616A	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEA TURE Power dissipation	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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2SD1616	NPN Transistors NPN Transistors P/b Lead(Pb)-Free	WEITRON	WEITRON
2SD1616	NPN SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION The 2SD1616/2SD1616A are designed for use in driver and output stages of AF amplifier, general purpose application.	NEC 瑞萨	NEC
2SD1616	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION * Audio frequency power amplifier * Medium speed switching	UTC 友顺	UTC
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2SD1616A_V01	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEA TURE Power dissipation	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD1616A-TA	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEA TURE Power dissipation	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD1616A_15	NPN Plastic-Encapsulated Transistor 文件：346.75 Kbytes Page：2 Pages	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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2SD1616A产品属性

类型
描述
型号
2SD1616A
制造商
Renesas Electronics
功能描述
NPN
制造商
Renesas Electronics
功能描述
NPN Bulk

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更新时间：2025-8-6 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市凌旭科技有限公司	2SD1616AL-G	UTC	2016+	TO-92	3900	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	2SD1616A	UTC/友顺	25+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	2SD1616A	UTC/友顺	22+	SOT-89	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SD1616A	CJ/长电	25+	SOT-89	32360	CJ/长电全新特价2SD1616A即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	2SD1616AG-G-AB3-R	UTC	2024+	SOT-89	500000	诚信服务,绝对原装原盘	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SD1616AG-G-AB3-R	UTC	15+	SOP-89	11000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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