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iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=3A ·HighDCCurrentGain:hFE=2000(Min)@IC=3A ·ComplementtoType2SB1099 APPLICATIONS ·Designedforaudiofrequencypoweramplifierandlowspeedswitchingindustrialuse.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

AudioFrequencyPowerAmplifierandLowSpeedSwitchingIndustrialUse

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ETC
更新时间:2024-5-21 9:48:01
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