型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS)

High Current Switching Applications • High collector current: IC= 30 A • High DC current gain: hFE= 1000 (min) (VCE= 5 V, IC= 20 A) • Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.

TOSHIBA

东芝

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain : hFE = 1000(Min.)@ IC= 20A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 100V(Min.) APPLICATIONS ·Designed for high current switching applications.

ISC

无锡固电

High Current Switching Applications

文件:181.59 Kbytes Page:4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD1525(F)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1525(F)

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN VCEO 100V VCE 5V Ic 30A hFE 1000 min

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-20 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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