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SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR HIGH POWER AMPLIFIER

High Power Amplifier Complementary Pair with 2SB1056

Panasonic

松下

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@IC= 5A ·Wide Area of Safe Operation ·Complement to Type 2SB1056 APPLICATIONS ·Designed for high power amplifier applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 11:56:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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