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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SD1481	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING FEATURES • On-chip C-to-B Zener diode for surge voltage absorption • Low collector saturation voltage: VCE(SAT) = 1.5 V MAX. (at 1 A) • Ideal for use in a direct drive from IC t	NEC 瑞萨	NEC
2SD1481	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • On-chip C-to-B Zener diode for surge voltage absorption • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1A • High DC Current Gain : hFE= 2000(Min) @IC= 1A • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and	ISC 无锡固电	ISC
2SD1481	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING FEATURES • On-chip C-to-B Zener diode for surge voltage absorption • Low collector saturation voltage: VCE(SAT) = 1.5 V MAX. (at 1 A) • Ideal for use in a direct drive from IC	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1481	Transistor-Bipolar Power Transistors	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更新时间：2026-5-14 22:58:00

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深圳市振宏微科技有限公司	2SD1483-(TX)+,BD2061AFJ,FP107	SOT89	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市正纳电子有限公司	2SD1484K	Rohm(罗姆)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
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2023-2-27
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2023-1-30
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2019-2-15
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