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芯片资料

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2SD1436	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain :hFE=1000(Min.)@IC=5A,VCE=3V ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=120V(Min) ·ComplementtoType2SB1032 APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SD1436	SiliconNPNTripleDiffused SiliconNPNTripleDiffused Application Powerswitchingcomplementarypairwith2SB1032(K)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SD1436K	SiliconNPNTripleDiffused SiliconNPNTripleDiffused Application Powerswitchingcomplementarypairwith2SB1032(K)	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司

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更新时间：2024-5-11 11:36:00

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