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SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS.

TOSHIBA

东芝

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 3A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V (Min) ·Complement to Type 2SB1017 APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-31 11:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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