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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·Low Saturation Voltage - : VCE(sat)= 0.4V(Max)@ IC= 0.5A ·Complement to Type 2SB1007 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-30 8:31:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOT-23
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3000
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TO126F
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专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC
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