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iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=1500(Min)@IC=5A,VCE=4V •HighSpeedSwitching APPLICATIONS •Highpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-5-21 16:44:01
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