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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SD1311	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 100V(Min) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max.)@IC= 3A APPLICATIONS • Designed for audio frequency power amplifier applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SD1311	NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR Audio Frequency Power Amplifier	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1311	NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR	未知品牌	未知品牌

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更新时间：2026-5-14 19:39:00

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