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型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 4A ·Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifiers applications. | ISC 无锡固电 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TOSHIBA/东芝 |
2450+ |
TO263 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
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HITACHI/日立 |
17+ |
TO-220 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
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PANASONIC |
23+ |
TO-252 |
648 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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ISC/固电 |
23+ |
I2PAKTO-262 |
39500 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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PANASONIC |
24+ |
TO-252 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
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JINGDAO/晶导微 |
23+ |
MBF |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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HITACHI |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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2018-12-19
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