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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 4A ·Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifiers applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-10-5 17:30:02
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