| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 4A ·Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifiers applications. | ISC 无锡固电 |   |
更新时间：2026-8-4 16:01:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
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HITACHI/日立 |
17+ |
TO-220 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
HITACHI |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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