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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
2SD1248	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 4A ·Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifiers applications.	ISC 无锡固电	ISC

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更新时间：2025-10-6 16:00:00

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