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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SD1220-251 | Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter | ISC 无锡固电 |   |
更新时间：2026-1-1 14:07:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
619 |
TO252 |
2000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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TOSHIBA/东芝 |
2022+ |
TO-252 |
1400 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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TOSHIBA |
24+ |
TO252 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-252 |
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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TOSHIBA |
1922+ |
to251 |
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TOSHIBA/东芝 |
2447 |
TO-252 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-252 |
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TOSHIBA |
24+ |
SOT252 |
2584 |
2SD1220-251规格书下载地址
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2018-12-19
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