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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SD1133	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current: IC= 4A ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.0V(Max)@IC= 2A ·High Collector Power Dissipation ·Complement to Type 2SB857 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SD1133	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB857/858 APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1133	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1133	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1133	Silicon NPN Power Transistors 文件：127.81 Kbytes Page：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1133	Trans GP BJT NPN 50V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SD1133K	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1133C	Transistor-Bipolar Power Transistors	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更新时间：2026-7-23 11:16:00

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深圳市威雅利发展有限公司	2SD1133	ON	2002+	TO220	300	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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