2SD1113晶体管资料
2SD1113别名：2SD1113三极管、2SD1113晶体管、2SD1113晶体三极管
2SD1113生产厂家：日本日立公司
2SD1113制作材料：Si-NPN
2SD1113性质：INT.Z_DIODE
2SD1113封装形式：直插封装
2SD1113极限工作电压：300V
2SD1113最大电流允许值：6A
2SD1113最大工作频率：<1MHZ或未知
2SD1113引脚数：3
2SD1113最大耗散功率：40W
2SD1113放大倍数：β>500
2SD1113图片代号：B-10
2SD1113vtest：300
2SD1113htest：999900
- 2SD1113atest：6
2SD1113wtest：40
2SD1113代换 2SD1113用什么型号代替：2SD971,2SD991,2SD1071,2SD1088,2SD1089,2SD1162,2SD1307,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SD1113 | Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 |   | |
2SD1113 | Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter | RENESAS 瑞萨 | | |
2SD1113 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 300V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 500(Min) @IC= 4A APPLICATIONS • Igniter | ISC 无锡固电 | | |
2SD1113 | Trans Darlington NPN 300V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
Silicon NPN Triple Diffused Application\n Igniter | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | |
2SD1113产品属性
- 类型
描述
- Number of Elements per Chip：
1
- Minimum Operating Temperature：
-55°C
- Minimum DC Current Gain：
500@4A@2V
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Emitter Base Voltage：
7V
- Maximum Continuous DC Collector Current：
6A
- Maximum Collector Emitter Voltage：
300V
- Maximum Collector Base Voltage：
300V
- Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@40mA@4AV
- Configuration：
Single
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
长电 |
25+23+ |
SOT-89 |
23857 |
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TO-220 |
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全新 |
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SipuSemi |
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原厂原封装 |
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PANASINIC |
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SOT89 |
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HITACHI/日立 |
17+ |
TO-220 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
2SD1113芯片相关品牌
2SD1113规格书下载地址
2SD1113参数引脚图相关
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2018-12-19
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