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SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON

2SD1044 -> Si NPN Diffused junction Mesa Darlington 2SD1091 -> Si NPN Triple Diffused Planar Darlington 2SD1105 -> Si NPN Diffused junction Mesa

Panasonic

松下

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain : hFE= 700(Min.)@ IC= 1A, VCE= 4V • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR) CEO= 80V(Min) • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for high power amplifier applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 13:36:01
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