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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION The 2SD1006, 1007 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ​​​​​​​● World Standard Miniature Package : SOT-89 ● High Collector to Emitter Voltage : VCEO > 120 V (2SD1007)

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NPN Silicon Epitaxial Transistor

NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● High collector to emitter voltage: VCEO > 120V.

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DESCRIPTION The 2SD1006, 1007 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● High Collector to Emitter Voltage : VCEO > 120 V (2SD1007) : VCEO > 100 V (2SD1006) ● Compl

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2SD1007HQ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1007HQ

  • 功能描述

    BJT

更新时间:2026-3-17 20:02:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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