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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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2SD1007-R-HF | NPN Transistors 文件：1.24294 Mbytes Page：3 Pages | KEXIN 科信电子 |   | |
High collector to emitter vlotage Features High collector to emitter voltage: VCEO > 120V. | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司 | | ||
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SD1006, 1007 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● World Standard Miniature Package : SOT-89 ● High Collector to Emitter Voltage : VCEO > 120 V (2SD1007) | NEC 瑞萨 | | ||
NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● High collector to emitter voltage: VCEO > 120V. | KEXIN 科信电子 | | ||
Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The 2SD1006, 1007 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● High Collector to Emitter Voltage : VCEO > 120 V (2SD1007) : VCEO > 100 V (2SD1006) ● Compl | RENESAS 瑞萨 | | ||
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN TRANSISTORS 文件：401.86 Kbytes Page：4 Pages | AITSEMI 创瑞科技 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2018-12-19
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