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2SCR587D3

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min.) ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.2V(Max.)@ IC= 1A ·Complement to Type 2SCR587D3 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for low freque

ISC

无锡固电

2SCR587D3

TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors

=1A/100mA) =120mV(Max.). 2) Complementary PNP Types : 2SAR587D3. Features 1) Suitable for Power Driver. 3) Low VCE(sat) VCE(sat) (IC/IB Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER

DGNJDZ

南晶电子

2SCR587D3

NPN 3A 120V Power Transistor

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ROHM

罗姆

2SCR587D3

NPN 3A 120V 功率晶体管

ROHM

罗姆

NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor for Automotive

ROHM

罗姆

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 120V 3A TO252 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

更新时间:2025-12-25 9:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
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SOT-23
20000
只做原装
ROHM/罗姆
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三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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Rohm Semiconductor
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