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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
2SCR542D	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·DCCurrentGainhFE:200-500@IC=0.5A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=30V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeamplifierandswitching applications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SCR542D	MidiumPowerTransistors(30V/5A) 文件：498.89 Kbytes Page：6 Pages	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SCR542P	MidiumPowerTransistors(30V/5A) 文件：243.26 Kbytes Page：5 Pages	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SCR542PFRA	NPN5.0A30VMiddlePowerTransistor 文件：1.40196 Mbytes Page：9 Pages	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团

2SCR542D供应商更多...

更新时间：2024-6-15 9:48:00

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深圳市正纳电子有限公司	2SCR542DTL	ROHM/罗姆	/ROHS.original	原封	22102	电子元件,供应 -正纳电子/ 元器件IC -MOS -MCU.	询价

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