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2SC582晶体管资料

  • 2SC582别名:2SC582三极管、2SC582晶体管、2SC582晶体三极管

  • 2SC582生产厂家:日本松下公司

  • 2SC582制作材料:Si-NPN

  • 2SC582性质:开关管 (S)_视频输出 (Vid)_功率放大 (L)

  • 2SC582封装形式:直插封装

  • 2SC582极限工作电压:300V

  • 2SC582最大电流允许值:0.1A

  • 2SC582最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SC582引脚数:2

  • 2SC582最大耗散功率:6.5W

  • 2SC582放大倍数

  • 2SC582图片代号:E-44

  • 2SC582vtest:300

  • 2SC582htest:999900

  • 2SC582atest:0.1

  • 2SC582wtest:6.5

  • 2SC582代换 2SC582用什么型号代替:BD127,BD158,BD232,BD410,2SC1505,2SC1506,2SC1507,2SC1755,2SC1756,2SC1757,2SC1819,3DK304A,

2SC582价格

参考价格:¥0.9234

型号:2SC5824T100Q 品牌:Rohm 备注:这里有2SC582多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SC582批发/采购报价,2SC582行情走势销售排行榜,2SC582报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier / Oscillator

Application • High gain bandwidth product fT = 20 GHz typ. • High power gain and low noise figure; PG = 17.5 dB typ., NF = 1.15 dB typ. at f = 1.8 GHz

RENESAS

瑞萨

Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier / Oscillator

Application\n• High gain bandwidth product\n  fT = 20 GHz typ.\n• High power gain and low noise figure;\n  PG = 17.5 dB typ., NF = 1.15 dB typ. at f = 1.8 GHz

RENESAS

瑞萨

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

Switching Regulator Applications

Switching Regulator Applications Features • High breakdown voltage. • High-speed switching. • Wide ASO. • Adoption of MBIT process.

SANYO

三洋

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

High speed switching Transistor

•高速开关用三极管表面安装型;

ROHM

罗姆

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 120(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 120(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier

Features • Super compact package: MFPAK (1.4 x 0.8 x 0.59 mm)

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF Wide band amplifier

Features • Super compact package: MFPAK (1.4 x 0.8 x 0.59 mm)

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

General-Purpose Transistors

ONSEMI

安森美半导体

丝印代码:UP;Power transistor (60V, 3A)

文件:135.77 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:UP;Power transistor (60V, 3A)

文件:46.22 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:UP;Power transistor (60V, 3A)

文件:95.51 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:UP;Power transistor (60V, 3A)

文件:940.26 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

Power transistor (60V, 3A)

文件:135.77 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

Power transistor (60V, 3A)

文件:940.26 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

Power transistor (60V, 3A)

文件:95.51 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

封装/外壳:TO-243AA 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 60V 3A MPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

丝印代码:C5825;Power transistor

文件:173.85 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:TL;Power transistor (60V, 3A)

文件:183.92 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

Power transistor (60V, 3A)

文件:160.01 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:C5825;Power transistor (60V, 3A)

文件:99.79 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

Power transistor (60V, 3A)

文件:46.78 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

Power transistor (60V, 3A)

文件:99.79 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

Power transistor (60V, 3A)

文件:183.92 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

Power transistor (60V, 3A)

文件:160.01 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

Power transistor

文件:173.85 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:C5826;Power transistor (60V, 3A)

文件:60.42 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:C5826;Power transistor (60V, 3A)

文件:939.61 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

Power transistor (60V, 3A)

文件:939.61 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

High speed switching., Low saturation voltage, typically

文件:939.61 Kbytes Page:4 Pages

ROHM

罗姆

封装/外壳:3-SIP 包装:剪切带(CT)带盒(TB) 描述:TRANS NPN 60V 3A ATV 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

For High Speed Switching

文件:66.03 Kbytes Page:3 Pages

PANASONIC

松下

2SC582产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装:

    MPT3

  • 包装数量:

    1000

  • 最小独立包装数量:

    1000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-89

  • JEITA Package:

    SC-62

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    NPN

  • Collector Power dissipation PC[W]:

    0.5

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]:

    60

  • Collector current Io(Ic) [A]:

    3

  • hFE:

    120 to 270

  • hFE (Min.):

    120

  • hFE (Max.):

    270

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    4.5x4 (t=1.5)

更新时间:2026-5-14 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI
23+
0603-3
86543
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
三年内
1983
只做原装正品
TOSHIBA/东芝
专业铁帽
CAN3
5600
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
HITACHI
19+
0603-3
20000
30000
HITACHI
25+23+
0603-3
77229
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
ON
23+
TO126F
75975
正规渠道,只有原装!
ROHM/罗姆
2447
TO-252
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
RENESAS/瑞萨
23+
MFPAK
50000
全新原装正品现货,支持订货
ROHM
25+
TO-252
7941
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
ROHM
24+
TO-252
7200
新进库存/原装

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