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2SC578晶体管资料

  • 2SC578别名：2SC578三极管、2SC578晶体管、2SC578晶体三极管

  • 2SC578生产厂家：日本日电公司

  • 2SC578制作材料：Si-NPN

  • 2SC578性质：开关管 （S）

  • 2SC578封装形式：直插封装

  • 2SC578极限工作电压：60V

  • 2SC578最大电流允许值：0.5A

  • 2SC578最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SC578引脚数：3

  • 2SC578最大耗散功率：0.6W

  • 2SC578放大倍数：

  • 2SC578图片代号：C-40

  • 2SC578vtest：60

  • 2SC578htest：999900

  • 2SC578atest：0.5

  • 2SC578wtest：0.6

  • 2SC578代换 2SC578用什么型号代替：BSS13,BSS14,BSS27,BSV77,BSV95,BSX30,2N5189,2SC1385,2SC1386,3DK4C,

2SC578价格

参考价格：￥2.7327

型号：2SC57880PA 品牌：Panasonic 备注：这里有2SC578多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC578批发/采购报价，2SC578行情走势销售排行榜，2SC578报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC5781

High-FrequencyLow-NoiseAmplifierandOSCApplications

High-FrequencyLow-NoiseAmplifierandOSCApplications Features •Low-noiseuse:NF=1.5dBtyp(f=2GHz). •Highcutofffrequency:fT=6.5GHztyp(VCE=1V). :fT=11.2GHztyp(VCE=3V). •Lowoperatingvoltage. •Ultraminiatureandthinflatleadlesspackag

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SC5782

UHFtoSBandLow-NoiseAmplifierandOSCApplications

UHFtoSBandLow-NoiseAmplifierandOSCApplications Features •Lownoise:NF=1.3dBtyp(f=2GHz). •Highcutofffrequency:fT=8.5GHztyp(VCE=1V).:fT=12.5GHztyp(VCE=3V). •Lowoperatingvoltage. •Highgain:|S21e|2=10.5dBtyp(f=2GHz). •Ultraminiatureandthinflatlead

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SC5783

2SC5783

High-FrequencyLow-NoiseAmplifierandOSCApplications Features •Lownoise:NF=1.5dBtyp(f=2GHz). •Highcutofffrequency:fT=6.0GHztyp(VCE=1V). :fT=10.5GHztyp(VCE=3V). •Lowoperatingvoltage. •Ultraminiatureandthinleadlesspackage.(1.4mm✕

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SC5784

TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType

High-SpeedSwitchingApplications DC-DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.15A) •Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.12V(max) •High-speedswitching:tf=45ns(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5784

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5785

TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType

High-SpeedSwitchingApplications DC-DCConverterApplications StrobeApplications •HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.2A) •Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.12V(max) •High-speedswitching:tf=25ns(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5785

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR（NPN） FEATURES ●High-SpeedSwitchingApplications ●DC-DCConverterApplications ●StrobeApplications

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
2SC5785

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5785

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES High-SpeedSwitchingApplications DC-DCConverterApplications StrobeApplications

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
2SC5786

NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,2SC5786) Q1:High-gaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Lowphasedi

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5786

NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5436,2SC5786) Q1:High-gaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Lowphasedi

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5787

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCYLOWNOISE 3-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Idealfor3GHzorhigherOSCapplications •Lownoise,highgain fT=20GHzTYP.,½S21e½2=13dBTYP.@VCE=1V,IC=20mA,f=2GHz NF=1.4dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz,ZS=Z

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5787

NPNSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOWNOISE3-PINLEAD-LESSMINIMOLD

NPNSILICONRFTRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCYLOWNOISE 3-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Idealfor3GHzorhigherOSCapplications •Lownoise,highgain fT=20GHzTYP.,S21e2=13dBTYP.@VCE=1V,IC=20mA,f=2GHz NF=1.4dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz,ZS

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SC5787-T3

NPNSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOWNOISE3-PINLEAD-LESSMINIMOLD

NPNSILICONRFTRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCYLOWNOISE 3-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Idealfor3GHzorhigherOSCapplications •Lownoise,highgain fT=20GHzTYP.,S21e2=13dBTYP.@VCE=1V,IC=20mA,f=2GHz NF=1.4dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz,ZS

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SC5787-T3

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCYLOWNOISE 3-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Idealfor3GHzorhigherOSCapplications •Lownoise,highgain fT=20GHzTYP.,½S21e½2=13dBTYP.@VCE=1V,IC=20mA,f=2GHz NF=1.4dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz,ZS=Z

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5788

SiliconNPNepitaxialplanartype

SiliconNPNepitaxialplanartype PowersupplyforAudio&VisualequipmentssuchasTVsandVCRs IndustrialequipmentssuchasDC-DCconverters ■Features •High-speedswitching(tstg:storagetime/tf:falltimeisshort) •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) •Superior

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下电器

Panasonic
2SC5789

SMALL-SIGNALTRANSISTORFORHIGHFREQUENCYAMPLIFYAPPLICATION

DESCRIPTION 2SC5789isaultrasuperminipackageresinsealedsiliconNPNepitaxialtransistor. Itisdesignedforhighfrequencyapplication. Sinceitisasuper-thinflatleadtypepackage,ahigh-densitymountingarepossible. FEATURE ●Super-thinflatleadtypepackage. t=0.45mm ●Hi

ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation

谏早电子谏早电子株式会社

ISAHAYA
2SC5784

SiliconNPNEpitaxialTypeHigh-SpeedSwitchingApplications

文件：138.39 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5784_06

SiliconNPNEpitaxialTypeHigh-SpeedSwitchingApplications

文件：138.39 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5785_15

NPNTransistors

文件：1.47257 Mbytes Page：3 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SC57880PA

封装/外壳：3-SIP 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 60V 3A MT-4 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

PanasonicElectronicComponents

Panasonic Electronic Components

PanasonicElectronicComponents
2SC57880QA

封装/外壳：3-SIP 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 60V 3A MT-4 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

PanasonicElectronicComponents

Panasonic Electronic Components

PanasonicElectronicComponents

2SC578产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC578

  • 制造商

    Distributed By MCM

  • 功能描述

    SUB ONLY TRANSISTOR60V .5A .6W

2SC578供应商更多...

更新时间：2025-7-24 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SC5784
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
4102
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
深圳市纳艾斯科技有限公司
2SC5784(TE85LF)
TOSHIBA
24+
SOT-23
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
2SC5784
TOSHIBA/东芝
24+
SOT23
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市创新迹电子有限公司
2SC5784
TOSHIBA
2022+
SOT23
20000
只做原装进口现货.假一罚十
询价
深圳市豪迈兴电子有限公司
2SC5784
TOSHIBA
24+
TSM
4231
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
询价
深圳市航润创能电子集团有限公司
2SC5784(TE85LF)
TOSHIBA
21+
SOT-23
1263
原装现货假一赔十
询价
千层芯半导体(深圳)有限公司
2SC5785
TOSHIBA
24+
SOT-89
120
原厂/代理渠道价格优势
询价
深圳兆威电子有限公司
2SC5784
TOSHIBA
23+
SOT-23
63000
原装正品现货
询价
深圳市恒创达实业有限公司
2SC5785
TOSHIBA
17+
NA
6200
100%原装正品现货
询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司
2SC5785
TOSHIBA
24+
SOT89
2987
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电
询价

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