2SC566晶体管资料

  • 2SC566别名:2SC566三极管、2SC566晶体管、2SC566晶体三极管

  • 2SC566生产厂家:日本日电公司

  • 2SC566制作材料:Si-NPN

  • 2SC566性质:甚高频 (VHF)_宽频带放大 (A)_TR

  • 2SC566封装形式:直插封装

  • 2SC566极限工作电压:50V

  • 2SC566最大电流允许值:0.3A

  • 2SC566最大工作频率:700MHZ

  • 2SC566引脚数:4

  • 2SC566最大耗散功率:0.8W

  • 2SC566放大倍数

  • 2SC566图片代号:D-51

  • 2SC566vtest:50

  • 2SC566htest:700000000

  • 2SC566atest:0.3

  • 2SC566wtest:0.8

  • 2SC566代换 2SC566用什么型号代替:BFR97,BFR98,BFS23,BFX33,BFX55,2N3866,2SC2852,3DG130D,

2SC566价格

参考价格:¥0.6658

型号:2SC5661T2LP 品牌:Rohm 备注:这里有2SC566多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SC566批发/采购报价,2SC566行情走势销售排行榜,2SC566报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

High-FrequencyAmplifierTransistor(18V,50mA,1.5GHz)

Features 1)Hightransitionfrequency.(Typ.fT=1.5GHz) 2)Smallrbb’⋅Ccandhighgain.(Typ.6ps) 3)SmallNF.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

High-FrequencyAmplifierTransistor(20V,50mA,1.5GHz)

Features 1)Hightransitionfrequency.(Typ.fT=1.5GHz) 2)Smallrbb’⋅Ccandhighgain.(Typ.6ps) 3)SmallNF.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

High-FrequencyAmplifierTransistor(20V,50mA,1.5GHz)

Features 1)Hightransitionfrequency.(Typ.fT=1.5GHz) 2)Smallrbb’⋅Ccandhighgain.(Typ.6ps) 3)SmallNF.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

High-FrequencyAmplifierTransistor(11V,50mA,3.2GHz)

Features 1)Hightransitionfrequency.(Typ.fT=1.5GHz) 2)Smallrbbí⋅Ccandhighgain.(Typ.4ps) 3)SmallNF.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

High-FrequencyAmplifierTransistor(11V,50mA,3.2GHz)

Features 1)Hightransitionfrequency.(Typ.fT=1.5GHz) 2)Smallrbbí⋅Ccandhighgain.(Typ.4ps) 3)SmallNF.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

Lowfrequencytransistor(12V,0.5A)

Thetransistorof500mAclasswhichwentonlyinto2125sizeconventionallywasattainedin1608sizesor1208sizes. Features 1)Highcurrent. 2)LowVCE(sat). VCE(sat)≤250mVatIC=200mA/IB=10mA Applications Forswitching Formuting

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

LowFerquencyNPNTransistor

VOLTAGE12VoltsCURRENT0.5Ampere FEATURE *Smallsurfacemountingtype.(SC-75/SOT-416) *Highcurrent *Collectorsaturationvoltageislow. VCE(sat)

CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD.

力勤力勤股份有限公司

CHENMKO

High-FrequencyLow-NoiseAmplifierandOSCApplications

High-FrequencyLow-NoiseAmplifierandOSCApplications Features •Low-noiseuse:NF=1.5dBtyp(f=2GHz). •Highcut-offfrequency:fT=6.5GHztyp(VCE=1V). :fT=11.2GHztyp(VCE=3V). •Lowoperatingvoltage.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTORFOR LOWNOISE×HIGH-GAINAMPLIFICATION 3-PINULTRASUPERMINIMOLD FEATURES •Idealforlownoise×high-gainamplificationandoscillationat3GHzorover NF=1.1dBTYP.,Ga=11dB@f=2GHz,VCE=2V,IC=5mA •Maximumavailablepowergain:MAG.=12.5

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTORFOR LOWNOISE×HIGH-GAINAMPLIFICATION 3-PINULTRASUPERMINIMOLD FEATURES •Idealforlownoise×high-gainamplificationandoscillationat3GHzorover NF=1.1dBTYP.,Ga=11dB@f=2GHz,VCE=2V,IC=5mA •Maximumavailablepowergain:MAG.=12.5

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTORFOR LOWNOISE×HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD3-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD FEATURES •Idealforlownoise×high-gainamplificationandoscillationat3GHzorover NF=1.1dBTYP.,Ga=11dB@f=2GHz,VCE=2V,IC=5mA •Maximumavailablepowe

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2ELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Idealforlownoise×high-gainamplificationandoscillationat3GHzorover NF=1.1dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz •Maximumavailablepowergain:MAG=12.5dBTYP.@VCE=2V,IC=20mA,

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTORFOR LOWNOISE×HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD3-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD FEATURES •Idealforlownoise×high-gainamplificationandoscillationat3GHzorover NF=1.1dBTYP.,Ga=11dB@f=2GHz,VCE=2V,IC=5mA •Maximumavailablepowe

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

230V/15A,AF100WOutputApplications

230V/15A,AF100WOutputApplications Features •Largecurrentcapacitance. •WideASOandhighdurabilityagainstbreakdown. •AdoptionofMBITprocess.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO

High-FrequencyAmplifierTransistor(20V,50mA,1.5GHz)

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

High-FrequencyAmplifierTransistor(20V,50mA,1.5GHz)

文件:193.18 Kbytes Page:4 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

High-FrequencyAmplifierTransistor(20V,50mA,1.5GHz)

文件:193.18 Kbytes Page:4 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

High-FrequencyAmplifierTransistor(11V,50mA,3.2GHz)

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

High-FrequencyAmplifierTransistor(11V,50mA,3.2GHz)

文件:74.61 Kbytes Page:3 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

封装/外壳:SOT-723 包装:剪切带(CT)带盒(TB) 描述:TRANS NPN 11V 0.05A VMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

封装/外壳:SOT-723 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 11V 0.05A VMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

SOT-723Plastic-EncapsulateTransistors

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JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU

LowFerquencyNPNTransistor

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CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD.

力勤力勤股份有限公司

CHENMKO

2SC5666

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FORMOSAFormosa MS

美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司

FORMOSA

SiliconNPNPowerTransistors

文件:171.5 Kbytes Page:4 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC

SiliconNPNPowerTransistors

文件:184.83 Kbytes Page:4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC

SiliconNPNPowerTransistors

文件:155.88 Kbytes Page:4 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SiliconNPNPowerTransistors

文件:173.14 Kbytes Page:4 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC

SiliconNPNPowerTransistors

文件:184.83 Kbytes Page:4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC

SiliconNPNPowerTransistors

文件:184.83 Kbytes Page:4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC

SiliconNPNPowerTransistors

文件:184.83 Kbytes Page:4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC

2SC566产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC566

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 20V 50MA

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-7-5 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SANYO/三洋
24+
NA/
2212
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
NEC
23+
DIP
12000
全新原装假一赔十
NEC
02+
SOT523
15000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
23+
SOT-523
63000
原装正品现货
SANYO/三洋
25+
TRTO3P
880000
明嘉莱只做原装正品现货
SANYO
23+
TO-3P
4000
专做原装正品,假一罚百!
Panasonic
25+23+
Sot-323
30671
绝对原装正品全新进口深圳现货
三年内
1983
只做原装正品
NEC
24+
DIP
200
T/NEC
2023+
CAN
50000
全新原装现货

2SC566芯片相关品牌

  • ANALOGICTECH
  • ASTRODYNE
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