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2SC566晶体管资料

  • 2SC566别名：2SC566三极管、2SC566晶体管、2SC566晶体三极管

  • 2SC566生产厂家：日本日电公司

  • 2SC566制作材料：Si-NPN

  • 2SC566性质：甚高频 （VHF）_宽频带放大 （A）_TR

  • 2SC566封装形式：直插封装

  • 2SC566极限工作电压：50V

  • 2SC566最大电流允许值：0.3A

  • 2SC566最大工作频率：700MHZ

  • 2SC566引脚数：4

  • 2SC566最大耗散功率：0.8W

  • 2SC566放大倍数：

  • 2SC566图片代号：D-51

  • 2SC566vtest：50

  • 2SC566htest：700000000

  • 2SC566atest：0.3

  • 2SC566wtest：0.8

  • 2SC566代换 2SC566用什么型号代替：BFR97,BFR98,BFS23,BFX33,BFX55,2N3866,2SC2852,3DG130D,

2SC566价格

参考价格：￥0.6658

型号：2SC5661T2LP 品牌：Rohm 备注：这里有2SC566多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC566批发/采购报价，2SC566行情走势销售排行榜，2SC566报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC5661

High-Frequency Amplifier Transistor (18V, 50mA, 1.5GHz)

Features 1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) 2) Small rbb’⋅Ccand high gain. (Typ. 6ps) 3) Small NF.

ROHM

罗姆

2SC5661

High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz)

Features 1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) 2) Small rbb’⋅Ccand high gain. (Typ. 6ps) 3) Small NF.

ROHM

罗姆

2SC5661T2LP

High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz)

Features 1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) 2) Small rbb’⋅Ccand high gain. (Typ. 6ps) 3) Small NF.

ROHM

罗姆

2SC5662

丝印代码：AD；High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz)

Features 1) High transition frequency. (Typ. fT= 1.5GHz) 2) Small rbbí⋅Cc and high gain. (Typ. 4ps) 3) Small NF.

ROHM

罗姆

2SC5662

丝印代码：AD；High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz)

Features 1) High transition frequency. (Typ. fT= 1.5GHz) 2) Small rbbí⋅Cc and high gain. (Typ. 4ps) 3) Small NF.

ROHM

罗姆

2SC5662

High frequency Transistor

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •高频用表面安装型三极管;

ROHM

罗姆

2SC5663

Low VCE(sat) Transistor

根据市场需求，提供从超小型到功率型的封装，以节能高可靠性为开发理念的多种产品线。 Low VCE(sat)晶体管;

ROHM

罗姆

2SC5663

丝印代码：BX；Low frequency transistor (12V, 0.5A)

The transistor of 500mA class which went only into 2125 size conventionally was attained in 1608 sizes or 1208 sizes. Features 1) High current. 2) Low VCE(sat). VCE(sat) ≤ 250mV at IC = 200mA / IB = 10mA Applications For switching For muting

ROHM

罗姆

2SC5663TPT

Low Ferquency NPN Transistor

VOLTAGE 12 Volts CURRENT 0.5 Ampere FEATURE * Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416) * High current * Collector saturation voltage is low. VCE(sat)

CHENMKO

力勤

2SC5665

High-Frequency Low-Noise Amplifier and OSC Applications

High-Frequency Low-Noise Amplifier and OSC Applications Features • Low-noise use : NF=1.5dB typ (f=2GHz). • High cut-off frequency : fT=6.5GHz typ (VCE=1V). : fT=11.2GHz typ (VCE=3V). • Low operating voltage.

SANYO

三洋

2SC5667

NPN SILICON RF TRANSISTOR

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE × HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD FEATURES • Ideal for low noise × high-gain amplification and oscillation at 3 GHz or over NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB @ f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 5 mA • Maximum available power gain: MAG. = 12.5

RENESAS

瑞萨

2SC5667-T1

NPN SILICON RF TRANSISTOR

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE × HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD FEATURES • Ideal for low noise × high-gain amplification and oscillation at 3 GHz or over NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB @ f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 5 mA • Maximum available power gain: MAG. = 12.5

RENESAS

瑞萨

2SC5668

NPN SILICON RF TRANSISTOR

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE × HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD FEATURES • Ideal for low noise × high-gain amplification and oscillation at 3 GHz or over NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB @ f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 5 mA • Maximum available powe

RENESAS

瑞萨

2SC5668

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 ELEMENTS) IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD FEATURES • Ideal for low noise × high-gain amplification and oscillation at 3 GHz or over NF = 1.1 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • Maximum available power gain: MAG = 12.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA,

RENESAS

瑞萨

2SC5668-T1

NPN SILICON RF TRANSISTOR

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE × HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD FEATURES • Ideal for low noise × high-gain amplification and oscillation at 3 GHz or over NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB @ f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 5 mA • Maximum available powe

RENESAS

瑞萨

2SC5669

230V / 15A, AF100W Output Applications

230V / 15A, AF100W Output Applications Features • Large current capacitance. • Wide ASO and high durability against breakdown. • Adoption of MBIT process.

SANYO

三洋

2SC5661

High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz)

文件：193.18 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SC5661

丝印代码：T2L；High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz)

文件：193.18 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SC5661_09

High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz)

文件：193.18 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SC5662

丝印代码：T2L；High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz)

文件：153.34 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

2SC5662

丝印代码：AD；High-Frequency Amplifier Transistor (11V, 50mA, 3.2GHz)

文件：74.61 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

2SC5662T2LN

封装/外壳：SOT-723 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS NPN 11V 0.05A VMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHM

罗姆

2SC5662T2LP

封装/外壳：SOT-723 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 11V 0.05A VMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHM

罗姆

2SC5663

晶体管

JSCJ

长晶科技

2SC5663

SOT-723 Plastic-Encapsulate Transistors

文件：649.68 Kbytes Page：4 Pages

JIANGSU

长电科技

2SC5663PT

Low Ferquency NPN Transistor

文件：155 Kbytes Page：3 Pages

CHENMKO

力勤

2SC5666

2SC5666

文件：51.92 Kbytes Page：6 Pages

FORMOSA

美丽微半导体

2SC5669

Silicon NPN Power Transistors

文件：171.5 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

2SC5669

Silicon NPN Power Transistors

文件：184.83 Kbytes Page：4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SC5669

Silicon NPN Power Transistors

文件：155.88 Kbytes Page：4 Pages

ISC

无锡固电

2SC5669

Silicon NPN Power Transistors

文件：173.14 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

2SC5669

Silicon NPN Power Transistors

文件：184.83 Kbytes Page：4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SC5669_15

Silicon NPN Power Transistors

文件：184.83 Kbytes Page：4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SC5669_2015

Silicon NPN Power Transistors

文件：184.83 Kbytes Page：4 Pages

JMNIC

锦美电子

2SC566产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装：

    VMT3

  • 包装数量：

    8000

  • 最小独立包装数量：

    8000

  • 包装形态：

    Taping

  • RoHS：

    Yes

  • Package Code：

    SOT-723

  • JEITA Package：

    SC-105AA

  • Number of terminal：

    3

  • Polarity：

    NPN

  • Collector Power dissipation PC[W]：

    0.15

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：

    20

  • Collector current Io(Ic) [A]：

    0.05

  • hFE：

    82 to 180

  • hFE (Min.)：

    82

  • hFE (Max.)：

    180

  • Mounting Style：

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

  • Package Size [mm]：

    1.2x1.2 (t=0.5)

2SC566供应商更多...

更新时间：2026-5-14 9:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳立科技有限公司
2SC5669
三年内
1983
只做原装正品
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
2SC5669
SANYO/三洋
25+
TRTO3P
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市科达星科技有限公司
2SC567
NEC
25+
DIP
26200
原装现货,诚信经营!
询价
现代芯城（深圳）科技有限公司
2SC5676-T1-A
26+
N/A
60000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
2SC567
TOSHIBA/东芝
专业铁帽
CAN4
67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
询价
瀚佳科技(深圳)有限公司
2SC5676-T1-A
NEC
24+
SOT523
36520
原装现货/放心购买
询价
深圳市博中泰实业有限公司
2SC5669
SANYO/三洋
25+
TO-3P-3
90000
全新原装现货
询价
深圳市安富世纪电子有限公司
2SC5669
SANYO
23+
TO-3P
1901
全新原装正品现货,支持订货
询价
深圳市羿芯诚电子有限公司
2SC567
NEC
24+
DIP
3000
全新原装现货 优势库存
询价
深圳市明盛嘉电子科技有限公司
2SC567
NEC
26+
DIP
43600
全新原装现货,假一赔十
询价

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