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2SC5593

Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier

Features • High gain bandwidth product fT = 23 GHz typ. • High power gain and low noise figure ; PG = 18 dB typ. , NF = 1.8 dB typ. at f = 1.8 GHz

RENESAS

瑞萨

2SC5593

High gain bandwidth product

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HITACHI-METALS

日立金属

2SC5593

Transistors>Amplifiers/Bipolar

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-12-25 12:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI
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RENESAS
原厂封装
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