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2SC5459晶体管资料

  • 2SC5459别名：2SC5459三极管、2SC5459晶体管、2SC5459晶体三极管

  • 2SC5459生产厂家：

  • 2SC5459制作材料：Si-NPN

  • 2SC5459性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2SC5459封装形式：直插封装

  • 2SC5459极限工作电压：600V

  • 2SC5459最大电流允许值：3A

  • 2SC5459最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SC5459引脚数：3

  • 2SC5459最大耗散功率：25W

  • 2SC5459放大倍数：

  • 2SC5459图片代号：B-10

  • 2SC5459vtest：600

  • 2SC5459htest：999900

  • 2SC5459atest：3

  • 2SC5459wtest：25

  • 2SC5459代换 2SC5459用什么型号代替：2SC4052,2SC5249,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC5459

NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(SWITCHINGREGULATOR,HIGHVOLTAGESWITCHING,DC-DCCONVERTERAPPLICATIONS)

SwitchingRegulatorApplications High-VoltageSwitchingApplications DC-DCConverterApplications •High-speedswitching:tf=0.3μs(max)(IC=1.2A) •Highcollectorbreakdownvoltage:VCEO=400V •HighDCcurrentgain:hFE=20(min)(IC=0.3A)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5459

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5459

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=400V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=13(Min)@IC=1mA ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforaudioandgeneralpurposeapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC5459

SiliconNPNTripleDiffusedType

文件：141.86 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5459(TOJS,Q,M)

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：散装 描述：TRANS NPN 400V 3A TO220NIS 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SC5459_07

SiliconNPNTripleDiffusedType

文件：141.86 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

2SC5459产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC5459

  • 制造商

    Toshiba

  • 功能描述

    NPN 400V 3A 13 TO220NIS Cut Tape

2SC5459供应商更多...

更新时间：2025-7-31 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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