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2SC5459晶体管资料

  • 2SC5459别名:2SC5459三极管、2SC5459晶体管、2SC5459晶体三极管

  • 2SC5459生产厂家

  • 2SC5459制作材料:Si-NPN

  • 2SC5459性质:开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 2SC5459封装形式:直插封装

  • 2SC5459极限工作电压:600V

  • 2SC5459最大电流允许值:3A

  • 2SC5459最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SC5459引脚数:3

  • 2SC5459最大耗散功率:25W

  • 2SC5459放大倍数

  • 2SC5459图片代号:B-10

  • 2SC5459vtest:600

  • 2SC5459htest:999900

  • 2SC5459atest:3

  • 2SC5459wtest:25

  • 2SC5459代换 2SC5459用什么型号代替:2SC4052,2SC5249,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC5459

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE SWITCHING, DC-DC CONVERTER APPLICATIONS)

Switching Regulator Applications High-Voltage Switching Applications DC-DC Converter Applications • High-speed switching: tf = 0.3 μs (max) (IC = 1.2 A) • High collector breakdown voltage: VCEO = 400 V • High DC current gain: hFE = 20 (min) (IC = 0.3 A)

TOSHIBA

东芝

2SC5459

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC5459

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 13(Min)@ IC= 1mA ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications.

ISC

无锡固电

2SC5459

Silicon NPN Triple Diffused Type

文件:141.86 Kbytes Page:4 Pages

TOSHIBA

东芝

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:散装 描述:TRANS NPN 400V 3A TO220NIS 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

Silicon NPN Triple Diffused Type

文件:141.86 Kbytes Page:4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5459产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC5459

  • 制造商

    Toshiba

  • 功能描述

    NPN 400V 3A 13 TO220NIS Cut Tape

更新时间:2026-5-14 19:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
专业铁帽
CAN3
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铁帽原装主营-可开原型号增税票
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