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2SC5459晶体管资料

  • 2SC5459别名：2SC5459三极管、2SC5459晶体管、2SC5459晶体三极管

  • 2SC5459生产厂家：

  • 2SC5459制作材料：Si-NPN

  • 2SC5459性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2SC5459封装形式：直插封装

  • 2SC5459极限工作电压：600V

  • 2SC5459最大电流允许值：3A

  • 2SC5459最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SC5459引脚数：3

  • 2SC5459最大耗散功率：25W

  • 2SC5459放大倍数：

  • 2SC5459图片代号：B-10

  • 2SC5459vtest：600

  • 2SC5459htest：999900

  • 2SC5459atest：3

  • 2SC5459wtest：25

  • 2SC5459代换 2SC5459用什么型号代替：2SC4052,2SC5249,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC5459

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTAGE SWITCHING, DC-DC CONVERTER APPLICATIONS)

Switching Regulator Applications High-Voltage Switching Applications DC-DC Converter Applications • High-speed switching: tf = 0.3 μs (max) (IC = 1.2 A) • High collector breakdown voltage: VCEO = 400 V • High DC current gain: hFE = 20 (min) (IC = 0.3 A)

TOSHIBA

东芝

2SC5459

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC5459

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 13(Min)@ IC= 1mA ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications.

ISC

无锡固电

2SC5459

Silicon NPN Triple Diffused Type

文件：141.86 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5459(TOJS,Q,M)

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：散装 描述：TRANS NPN 400V 3A TO220NIS 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SC5459_07

Silicon NPN Triple Diffused Type

文件：141.86 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC5459产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC5459

  • 制造商

    Toshiba

  • 功能描述

    NPN 400V 3A 13 TO220NIS Cut Tape

2SC5459供应商更多...

更新时间：2025-10-7 17:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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