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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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2SC5415AF-TD-E | RFTransistor12V,100mA,fT=6.7GHz,NPNSinglePCP Features •Highgain:⏐S21e⏐2=9dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
2SC5415AF-TD-E | 封装/外壳:TO-243AA 包装:托盘 描述:RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications High-Frequency Low-NoiseAmplifierApplications Features ·Highgain:|S21e|2=9dBtyp(f=1GHz). ·Highcutofffrequency:fT=6.7GHztyp. | SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社 | |||
High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications Features •Highgain:⏐S21e⏐2=9dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp | SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社 | |||
RFTransistor12V,100mA,fT=6.7GHz,NPNSinglePCP Features •Highgain:⏐S21e⏐2=9dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
RFTransistor12V,100mA,fT=6.7GHz,NPNSinglePCP Features •Highgain:⏐S21e⏐2=9dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications 文件:398.96 Kbytes Page:8 Pages | SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社 |
2SC5415AF-TD-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SC5415AF-TD-E
- 功能描述
两极晶体管 - BJT
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SANYO |
2016+ |
SOT-89 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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SANYO |
1822+ |
SOT-89 |
6852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
SANYO/三洋 |
2022 |
SOT-89 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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ON/安森美 |
标准封装 |
58998 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
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ON/安森美 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
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SANYO/三洋 |
05+ |
SOT-89 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
NA |
8435 |
可订货,请确认 |
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SANYO |
2008++ |
SOT-89 |
7200 |
新进库存/原装 |
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SANYO/三洋 |
SOT-89 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
2SC5415AF-TD-E规格书下载地址
2SC5415AF-TD-E参数引脚图相关
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2018-12-19
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