型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC5415AF-TD-E

RFTransistor12V,100mA,fT=6.7GHz,NPNSinglePCP

Features •Highgain:⏐S21e⏐2=9dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC5415AF-TD-E

封装/外壳:TO-243AA 包装:托盘 描述:RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications

High-Frequency Low-NoiseAmplifierApplications Features ·Highgain:|S21e|2=9dBtyp(f=1GHz). ·Highcutofffrequency:fT=6.7GHztyp.

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications

High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications Features •Highgain:⏐S21e⏐2=9dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

RFTransistor12V,100mA,fT=6.7GHz,NPNSinglePCP

Features •Highgain:⏐S21e⏐2=9dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

RFTransistor12V,100mA,fT=6.7GHz,NPNSinglePCP

Features •Highgain:⏐S21e⏐2=9dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications

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SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

2SC5415AF-TD-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC5415AF-TD-E

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-5-23 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SANYO
2016+
SOT-89
3000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
SANYO
1822+
SOT-89
6852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
SANYO/三洋
2022
SOT-89
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
ON/安森美
标准封装
58998
一级代理原装正品现货期货均可订购
ON/安森美
23+
NA
25630
原装正品
SANYO/三洋
05+
SOT-89
1000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON/安森美
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
ON/安森美
22+
NA
8435
可订货,请确认
SANYO
2008++
SOT-89
7200
新进库存/原装
SANYO/三洋
SOT-89
265209
假一罚十原包原标签常备现货!

2SC5415AF-TD-E芯片相关品牌

  • ABC
  • CIT
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