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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FEATURE • High fT 17 GHz TYP. • High gain |S21e|2 = 15.5 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 7 mA • NF = 1.1 dB, @f = 2 GHz VCE = 2 V, IC = 1 mA • 6-pin Small Mini Mold Package

NEC

瑞萨

更新时间:2026-1-2 17:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SOT-363
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
AUK
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NEC
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NEC
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