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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC536N

Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications

Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Applications ·Capableofbeingusedinthelowfrequencytohighfrequencyrange. Features ·LargecurrentcapacityandwideASO.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SC536N

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LargeCurrentCapacityandWideASO. APPLICATIONS ●CapableofBeingUsedinTheLowFrequencytoHigh FrequencyRange.

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
2SC536

TRANSISTOR(NPN)

[WEJELECTRONICCO.] FEATURES Powerdissipation PCM:400mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:100mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
2SC536

SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features LargecurrentcapacityandwideASO Applications Smallsignalgeneralpurposeamplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SC536

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●GeneralPurposeAmplifierTransistor

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
2SC536

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:400mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:100mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SC536

LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers

文件：84.74 Kbytes Page：1 Pages

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

MICRO-ELECTRONICS
2SC536NF-NPA-AT

BipolarTransistor

BipolarTransistor (–)50V,(–)150mA,LowVCE(sat)(PNP)NPNSingleNPA-WA Features •LargecurrentcapacityandwideASO Applications •Capableofbeingusedinthelowfrequencytohighfrequencyrange

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC536NG-NPA-AT

BipolarTransistor

BipolarTransistor (–)50V,(–)150mA,LowVCE(sat)(PNP)NPNSingleNPA-WA Features •LargecurrentcapacityandwideASO Applications •Capableofbeingusedinthelowfrequencytohighfrequencyrange

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC536NG-NPA-AT

BipolarTransistor

BipolarTransistor (–)50V,(–)150mA,LowVCE(sat)(PNP)NPNSingleNPA-WA Features •LargecurrentcapacityandwideASO Applications •Capableofbeingusedinthelowfrequencytohighfrequencyrange

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC536NF-NPA-AT

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 50V 0.15A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC536NG-NPA-AT

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 50V 0.15A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

2SC536N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC536N

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2SC536N供应商更多...

更新时间：2025-7-24 16:13:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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